台积电推出性能增强版的7nm和5nm制造工艺

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中关村在线消息:近日外媒消息,台积电完后 悄然推出了 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 极紫外(N5 / EUV)制造工艺的性能增强版本。



台积电推出性能增强的7nm和5nm制造工艺

其N7P 和 N5P 技术,专为哪些地方地方还要运行调快、消耗更少电量的客户而设计。尽管 N7P 与 N7 的设计规则相同,但新工艺优化了前端(FEOL)和生端(MOL)制程,可在同等功率下将性能提升 7%、或在同频下降低 10% 的功耗。

在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上,台积电透露了哪些地方客户完后 不需要 用上新工艺,但该公司似乎并越来越 广而告之的想法。

N7P 采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术,与 N7 相比,它越来越 增加晶体管的密度。

一点还要高出约 18~20% 晶体管密度的 TSMC 客户,预计还要使用台积电的 N7+ 和 N6 工艺,后者使用极紫外(EUV)光刻技术进行多层补救。

尽管 N7 和 N6 全部还要未来几年的“长”节点,但台积电会在下另另另1个 N5 节点带来显著的密度、功耗和性能改进。

N5 完后 也会迎来另另另1个 叫做 N5P 的增强版本,辅以 FEOL 和 MOL 优化,以便让芯片在相同功率下提升 7% 的性能、或在同频下降低 15% 的功耗。

(文中图片来自互联网)

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